二极管鲜为人知的特性关系

1、 正向导通压降与导通电流的关系

在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。

2、 正向导通压降与环境的温度的关系

在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。

表1 导通压降与导通电流测试数据

3、二极管漏电流与反向电压的关系

在二极管两端加反向电压时，其内部电场区域变宽，有较少的漂移电流通过PN结，形成我们所说的漏电流。漏电流也是评估二极管性能的重要参数，二极管漏电流过大不仅使其自身温升高，对于功率电路来说也会影响其效率，不同反向电压下的漏电流是不同的，关系如图4所示：反向电压愈大，漏电流越大，在常温下肖特基管的漏电流可忽略。

4、二极管漏电流与环境温度的关系

其实对二极管漏电流影响最大的还是环境温度。在额定反压下测试的关系曲线，从中可以看出：温度越高，漏电流越大。在75℃后成直线上升，该点的漏电流是导致二极管外壳在额定电流下达到125℃的两大因素之一，只有通过降额反向电压和正向导通电流才能降低二极管的工作温度。

5、二极管反向恢复时间

如图6所示，二极管的反向恢复时间为电流通过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定低值的时间间隔，实际上是释放二极管在正向导通期间向PN结的扩散电容中储存的电荷。反向恢复时间决定了二极管能在多高频率的连续脉冲下做开关使用，如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短，则二极管在正向、反向均可导通就起不到开关的作用。PN结中储存的电荷量与反向电压共同决定了反向恢复时间，而在高频脉冲下不但会使其损耗加重，也会引起较大的电磁干扰。所以知道二极管的反向恢复时间正确选择二极管和合理设计电路是必要的，选择二极管时应尽量选择PN结电容小、反向恢复时间短的，但大多数厂家都不提供该参数数据。

6、二极管反向电压裕量的意义

我们都知道二极管有个反向击穿的极限电压，绝大多数的二极管厂商都没把它写入数据手册，但在大多数情况下为了节省成本不可能将二极管反向耐压降额到50%左右使用，那么反向电压裕量是否足够，这对评估该二极管反向耐压应降多少额使用较为安全是有一定意义的。从下表中可看出，反向电压的裕量并不像网上所说的那样是额定反压的2~3倍。

膝点反向电压为漏电流突变时的反向电压点。(二极管在常温某电压点下，其漏电流突然一下增大了几十上百倍，例如：SM360A二极管在78V时漏电流为20μA，但在79V时漏电流为2 mA，79V即为膝点反向电压)膝点反向电压虽然未使二极管完全击穿，但却严重影响了二极管的正常使用。而在高温下漏电流更易突变，此时的膝点反向电压就更低。所以一个二极管的反向电压应降额值为多少才较为正确合理，更应该从物料的使用环境温度和实际使用的导通电流来测试膝点反向电压值，然后再来确定裕量降额值。

好的电路设计在对二极管参数的选择时，不仅要考虑常温的参数，也要考虑在高低温环境下的一些突变参数。

肖特基二极管(SBD)的主要特点：

1)正向压降低：由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。

2)反向恢复时间快：由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

3)工作频率高：由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。

4)反向耐压低：由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBDTTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。

肖特基二极管的作用与特点

1.什么是肖特基二极管

肖特基二极管(肖特基势垒二极管)：它是属于一种低功耗、超高速的半导体器件，其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)。正向导通压降仅0.4V左右。

2.肖特基二极管作用特性

肖特基二极管最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。其多用作高频、低压、大电流整流二极管(比如开关电源次极整流二极管)，续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

SBD的主要优点包括两个方面：

1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。

2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。