1. 解释什么是pn结?

镀在一起以形成pn结的p型和n型半导体片层之间的接触表面称为pn结。

                                                                          不同封装的二极管

2. 解释pn结中两种击穿机制是什么?

雪崩和齐纳击穿。

3. 在反向偏置条件下将击穿机制命名为轻掺杂pn结。

雪崩击穿。

4. 为什么硅在半导体器件制造中优于锗?

硅半导体器件通常具有比锗半导体器件更高的PIV和电流额定值以及更宽的温度范围，这就是为什么在半导体器件的制造中硅优于锗的原因。

5. 解释箭头在pn结的原理图符号中表示的是什么?

pn结的示意符号中的箭头表示当二极管正向偏置时常规电流的方向。

二极管的类型

6. 在反向偏置条件下将击穿机制命名为高掺杂pn结。

齐纳击穿。

7. 解释什么是理想二极管?

理想二极管是一种双端子极性敏感器件，正向偏置时具有零电阻，反向偏置时具有无限电阻。

8. 解释什么是反向饱和电流?

二极管的反向电流是由少数载流子引起的，并且是在二极管反向偏置时引起的。仅需要非常小的电压来引导所有少数载流子跨越结，并且当所有少数载流子流过时，偏置电压的进一步增加将不会引起电流的增加。该电流称为反向饱和电流。

9. 二极管的反向饱和电流是否与反向偏置电压无关?

是。

                                                                                    贴片二级管

10. 解释二极管的静电电阻是多少?

二极管的静态或直流电阻是它提供给直流电阻的电阻。它被定义为感兴趣点处二极管电压和电流的比率，并且对VI特性曲线的形状不敏感。它随着二极管电流或电压的增加而减小。

11. 定义正向偏置条件下pn结二极管的动态电阻。

pn结二极管对正向电流变化提供的电阻定义为动态电阻。

交流或动态电阻，r =(正向电压变化小)/(正向电流变化小)

10. 为什么锗比硅更依赖于温度?

因为锗二极管的储备饱和电流大约是1000倍。

11. 解释温度对二极管反向饱和电流的影响是什么?

理论上，反向饱和电流对于硅来说每oC增加8%，对于锗增加11%/ oC。但是从实验数据可以看出，对于硅和锗，反向饱和电流每oC增加7%。这是因为反向饱和电流的表面漏电流分量与温度无关。由于(1.07)10 = 2.0(大约)，反向饱和电流大约每10oC升温一倍。