肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

低压降肖特基二极管是正向压降比普通肖特基二极管还要低的一种半导体器件，可以理解成升级版性能更优，压降更低，效率更高的肖特基二极管

肖特基二极管SBT20V100也称为金属半导体结二极管20V100或者表面势垒二极管20V100，具有正向耐大电流，反向恢复时间极快等优点。伴随着科学技术的不断进步发展，对肖特基二极管的性能要求也越来越高，要求自身功率损耗更小，所以VF值与漏电流控制到更低的肖特基20100愈发被市场重视。

低VF值SBT20V100肖特基二极管的VF数值是指正向压降值低，是由于电子元件本身具有一定的内阻值，所以当电路工作时元件自身会产生压降，与电流形成电能的一定损耗。因为电路中电流大小是特定需求的，所以正向压降值的大小就与自身功率损耗的多少形成正比。

文明与科学技术的发展进步，对电子电器的节能提出更高的要求，必需减小对电能的无效浪费是未来电子元件的大势所趋。普通20安培TO-220封装肖特基二极管VF值一般在0.7V-0.8V间，而我司现推出低VF肖特基SBT20V100，VF值低到0.6左右。在业界倍受称赞。其VF值(正向压降)相比普通肖特基二极管低了10%左右，相同工作效率下，SBT20V100自身电能损耗更小更节能有着无以比拟的优势。