1、 直流参数

集电极—基极反向电流I(CBO)。当发射极开路、在集电极与基极间加上规定的反向电压时，集电结中的漏电流就称I(CBO)此值越小表明晶体管的热稳定性越好。一般小功率管约1OμA左右，硅管更小些。集电极一一发射极反向电流I(CBO)也称穿透电流。它是指基极开路时，在集电极与发射极之间加上规定的反向电压时，集电极的漏电流。此值越小越好。硅管一般较小，约在1μA以下。如果测试中发现此值较大，此管就不易使用。

2、 电流放大系数

直流放大系数β"或用h(FE)表示。它是指无交流信号时，共发射极电路，集电极输出直流I(B)与基极输入直流几的比值。即:β=I(c)/I(B)β是衡量三极管电流放大能力的一个重要参数，但对于同一个三极管来说，在不同的集电极电流下有不同的β.交流放大系数β也可用h(FE);表示。这个参数是指有交流信号输人时，在共发射极电路中，集电极电流的变化量△AIc与基极电流的变化量△I(B)的比值。即 β=△Ic/△I(B)以上两个参数分别表明了三极管对直流电流的放大能力和对交流电流的放大能力。但由于这两个参数值近似相等，即β≈β，因此在实际使用时一般不再区分。由于生产工艺的原因，即使同一批生产的管子，其β值也是不一样的，为方便实用，厂家有时将尸值标记在三极管上，供使用者选用。

3、 极限参数

集电极最大允许电流I(CM ) 当三极管的β值下降到最大值的一半时，管子的集电极电流就称集电极最大允许电流。当管子的集电极电流Ic超过一定值时，将引起晶体管某些参数的变化，最明显的是β值下降。因此，实际应用时Ic要小于I(CM °)集电极最大允许耗散功率P(CM)当晶体管工作时，由于集电极要耗散一定的功率而使集电结发热，当温度过高时就会导致参数的变化，甚至烧毁晶体管。为此规定晶体管集电极温度升高到不至于将集电极烧毁所消耗的功率，就成为集电极最大耗散功率。使用时为提高P(CM)值，可给大功率管子加上散热片，散热片愈大其P(CM)值就提高得越多。集电极发射极反向击穿电压BU(CEO)当基极开路时，集电极与发射极之间允许加的最大电压。在实际应用时，加到集电极与发射极之间的电压，一定要小于BU(CEO)，否则将损坏三极管。

4、 特征频率品

因为尸值随工作频率的升高而下降，频率越高，β下降的越严重。三极管的特征频率光是指尸值下降到1时的频率值。就是说在这个频率下工作的三极管，已失去放大能力，即f(T)是三极管使用中的极限频率，因此在选用三极管时，一般管子的特征频率品要比电路的1作频率至少高出3倍以上。但不是f(T)越高越好，如果选的太高，就会引起电路的振荡。