正向和反向偏置二极管的区别就是正向偏置时，二极管处于导通状态;反向偏置时，二极管处于截止状态。

反向偏置二极管

现在让我们看看如果我们将电压源的负端子连接到二极管的n型侧的电压源的p型侧和正端子会发生什么。在那种情况下，由于源的负电位的静电吸引，p型区域中的空穴将更远离结点移位，在结处留下更多未覆盖的负离子。以相同的方式，n型区域中的自由电子将更远地从结点移向电压源的正端子，在结中留下更多未覆盖的正离子。由于这种现象，耗尽区变宽。二极管的这种情况称为反向偏置条件。在这种情况下，没有多数载流子在离开交叉点时越过交叉点。通过这种方式，

正如我们在本文开头已经说过的那样，p型半导体中总有一些自由电子和n型半导体中的一些空穴。半导体中的这些相反的电荷载流子称为少数电荷载流子。在反向偏置条件下，在n型侧发现它们的空穴很容易穿过反向偏置的耗尽区，因为穿过耗尽区的场不存在，而是有助于少数电荷载流子穿过耗尽区。结果，从正极到负极流过二极管的微小电流。由于二极管中少数电荷载流子的数量非常小，因此该电流的幅度非常小。该电流称为反向饱和电流。

正向偏置二极管

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

如果源的正端子连接到p型侧并且源极的负端子连接到二极管的n型侧并且如果我们从零缓慢地增加该源的电压会发生什么。

开始时，没有电流流过二极管。这是因为尽管在二极管上施加了外部电场，但仍然多数电荷载流子不能充分影响外部场穿过耗尽区。正如我们所说，耗尽区充当了对多数电荷载体的潜在屏障。这种势垒被称为前向势垒。只有当结上的外部施加电压值大于前向势垒的电位时，大多数电荷载流子才开始越过前向势垒。对于硅二极管，正向势垒电位为0.7伏，对于锗二极管，它为0.3伏。当二极管上外部施加的正向电压变得大于正向势垒电位时，自由多数电荷载流子开始穿过势垒并贡献正向二极管电流。在这种情况下，二极管将表现为短路路径，正向电流仅受到外部连接的二极管电阻的限制。