以下以BAS70-04为例，说明肖特基二极管的优势。

SBD二极管特点

基本性能方面，BAS70-04肖特基二极管的正向压降Vr=70V，正向电流If=70mA，正向峰值瞬态电流Ifsm=100mA，功耗Pd=200mA，热阻Roja=125°C。

BAS70-04采用SOT-23封装，塑料体材料为94V-0等级的阻燃塑料，防潮性能达到J-STD-020标准1级，重量最大0.013g。作为一款低正向压降，快速切换的表面贴装器件，BAS70-04主要用于通用开关电源应用。

电气性能方面，BAS70-04肖特基二极管的反向击穿电压Vbr=70V(Ir=10uA时)，反向漏电流Ir=100nA(Vr=50V时)。在正向电流分别为1mA、15mA时，正向压降(Vf)分别为0.41V、1V。

超低的结电容赋予了肖特基二极管的快速恢复性能

BAS70-04肖特基二极管具有极低的结电容，在Vr=0V的1MHz电路中，其Cd值不到2pF。

凭借超低的结电容，BAS70-04具有超快的恢复时间，Trr值还不到5ns!

高压SBD的诱惑

目前，绝大多数SBD还无法应用在100V以上电路中。为了把低成本和快速恢复性能发挥出来，100V以上应用成为肖特基二极管产品的竞争制高点，也是肖特基二极管厂家研究的课题和关注的热点。

近几年，100V以上肖特基二极管研究已经取得了突破性进展，150V和200V的高压肖特基二极管已有样品发售，使用新型材料制作的超过1kV肖特基二极管也在实验室研制成功，即将推向方兴未艾的新能源和电源市场接受用户检阅。