场效应管作用的特点及工作原理

场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。

MOS场效应管有加强型(EnhancementMOS或EMOS)和耗尽型(MOS或DMOS)两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极;G(Gate)称为栅极，相当于双极型三极管的基极;S(Source)称为源极，相当于双极型三极管的发射极。

加强型MOS(EMOS)场效应管道加强型MOSFET根本上是一种左右对称的拓扑构造，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底(substrat)，用符号B表示。

工作原理

1.沟道构成原理当Vgs=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压，不会在D、S间构成电流。

当栅极加有电压时，若0

进一步增加Vgs，当Vgs>Vgs(th)时，由于此时的栅极电压曾经比拟强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中汇集较多的电子，能够构成沟道，将漏极和源极沟通。假如此时加有漏源电压，就能够构成漏极电流ID。在栅极下方构成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层(inversionlayer)。随着Vgs的继续增加，ID将不时增加。

在Vgs=0V时ID=0，只要当Vgs>Vgs(th)后才会呈现漏极电流，这种MOS管称为加强型MOS管。

VGS对漏极电流的控制关系可用iD=f(vGS)|VDS=const这一曲线描绘，称为转移特性曲线，见图。

转移特性曲线斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制造用。gm的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。

跨导的定义式如下：gm=△ID/△VGS|(单位mS)