首先让我们一起了解一下快恢复二极管和肖特基二极管的定义吧~!

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。

快恢复二极管和肖特基二极管这两种二极管通常运用于开关电源。

接下来我们就一起简单地看看快恢复二极管和肖特基二极管两者之间的区别吧~!

在速度上，肖特基二极管的恢复时间比快恢复二极管的小一百倍左右，但是，令人吃惊的是，肖特基二极管的反向恢复时间大约为几纳秒~!肖特基二极管的优点还有低功耗，大电流，超高速~!

肖特基二极管的反向耐压值较低，为40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管，其正向起始电压较低，它的金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料，半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。

由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz，并且，MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

而快恢复二极管有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。

快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。目前，快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

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