导体二极管内部只有一个PN结，若在半导体二极管P型半导体的旁边，再加上一块N型半导体如图5-1(a)所示。由图5-1(a)可见，这种结构的器件内部有两个PN结，且N型半导体和P型半导体交错排列形成三个区，分别称为发射区，基区和集电区。从三个区引出的引脚分别称为发射极，基极和集电极，用符号e、b、c来表示。处在发射区和基区交界处的PN结称为发射结;处在集电区和基区交界处的PN结称为集电结。具有这种结构特性的器件称为三极管。

　　二极管又称晶体二极管，简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

快恢复二极管（简称FRD）是一种反向恢复时间短特性、具有开关特性好的半导体二极管，主要应用于PWM脉宽调制器、开关电源、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管运用。    快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可取得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

随着半导体二极管产业不断深化，以及国内设备企业的不断突破，市场对半导体设备的关注度也不断提升。新亿利认为，伴随“全球周期持续+国内科技红利拐点”短期至少迎来3年机遇，半导体二极管行业彻底进入成长拐点。半导体可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。其中市场规模最大的是集成电......