GBU1010 整流器 扁桥 桥堆

VR(V)最高反向峰值电压：100VIF(A)最大平均整流电流：10AIFSM(A)最大峰值浪涌电流：220A  (μA)最大反向漏电流：10μA  VF(V)正向压降：1.1V  CJ(PF)典型结电容：70PF

1N4005肖特基整流二极管

　1N4005二极管恢复时间250ns，最大正向电流1A，反向耐压1000V。通常用在小功率开关电源中。　　整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流(可达上千安)，但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路

快恢复整流二极管 FR102 DO-41封装

FR102快恢复整流二极管封装DO-41 反向电压50-1000V  正向电流1.0A

FR101 快恢复整流二极管 DO-41封装

FR101快恢复整流二极管封装DO-41 反向电压50-1000V  正向电流1.0A

FR107整流二极管

　　FR107是快恢复整流二级管，反向恢复时间250ns，最大正向电流1A，反向耐压1000V。通常用在小功率开关电源中。　　整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流(可达上千安)，但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路

SS54肖特基贴片二极管

反向电压：40V直流阻断电压：40V最大正向平均整流电流：5.0A当电流=5.0A时,压降：0.55v最大反向直流电流TA=25℃：0.5ma工作温度范围：-65℃+150℃存储温度：-65℃+150℃

SR3100肖特基二极管

最大反向重复峰值电压：100V最大直流阻断电压：100V最大正向平均整流电流：3.0A当电流=5.0A时,正向压降：0.85V最大直流反向电流TA=25℃：0.5uA额定直流阻断电压TA=100℃：10.0uA工作结温度范围：-65℃+150℃存储温度：-65℃+150℃重量：0.04盎司,1.10克安装位置：任意位置

F7二极管

电流参数：IO=1A/IFSM=30A/IR=5uA电压参数：URRM=1000V/URMS=700V/UDC=1000V/UF=1.3V电压Vrrm：1000V电流If：1A最大正向电压Vf：1.2V最大时间trr：500ns最大电流Ifs：500A针脚数：2正向电压If：1.3V电流If@Vf：1A电流Ifsm：500A最高结温：150°C

20A10二极管

最大峰值反向电压：1000V最大直流阻断电压：1000V最大平均正向整流电流：20.0A最大直流反向电流Ta：25℃额定直流阻断电压Ta：100℃工作温度存储温度：-65+150℃重量：1.65克极性：色环表示阴极端

10A10二极管

最大峰值反向电压：1000V最大直流阻断电压：1000V最大平均正向整流电流：10.0A最大直流反向电流Ta：25℃额定直流阻断电压Ta：100℃工作温度存储温度：-65+150℃重量：1.65克极性：色环表示阴极端