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GBU1010 整流器 扁桥 桥堆

VR(V)最高反向峰值电压:100VIF(A)最大平均整流电流:10AIFSM(A)最大峰值浪涌电流:220A  (μA)最大反向漏电流:10μA  VF(V)正向压降:1.1V  CJ(PF)典型结电容:70PF

SR3100肖特基二极管

最大反向重复峰值电压:100V最大直流阻断电压:100V最大正向平均整流电流:3.0A当电流=5.0A时,正向压降:0.85V最大直流反向电流TA=25℃:0.5uA额定直流阻断电压TA=100℃:10.0uA工作结温度范围:-65℃+150℃存储温度:-65℃+150℃重量:0.04盎司,1.10克安装位置:任意位置

SR5100肖特基二极管

最大反向重复峰值电压:100V最大直流阻断电压:100V最大正向平均整流电流:5.0A当电流=5.0A时,正向压降:0.85V最大直流反向电流TA=25℃:0.5uA额定直流阻断电压TA=100℃:10.0uA工作结温度范围:-65℃+150℃存储温度:-65℃+150℃封装:DO-27安装位置:任意位置

肖特基二极管100V以上高压的即将推向新能源市场

  肖特基二极管(SBD)是一种常用的半导体器件,低至0.4-0.5V正向压降,短到10-40ns反向恢复时间,使其成为高频和快速开关应用的理想低压器件。为了便于机器化组装,SBD开始采用与IC一样的封装形式,如PQFN封装、SOT-23封装等。